HGT1S20N36G3VL
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | HGT1S20N36G3VL |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | N-CHANNEL IGBT |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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148+ | $2.03 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 395 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 5V, 20A |
Testbedingung | 300V, 10A, 25Ohm, 5V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | -/15µs |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
Serie | - |
Leistung - max | 150 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Logic |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 28.7 nC |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 37.7 A |
HGT1S20N36G3VL Einzelheiten PDF [English] | HGT1S20N36G3VL PDF - EN.pdf |
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2024/07/2
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2024/05/21
HGT1S20N36G3VLFairchild Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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